炭化ケイ素製熱伝導材

SiC 材料の熱伝導率は、ほとんどの誘電体固体と同様、主に熱弾性波 (フォノンと呼ばれる) の伝達に依存します。 SiC 材料の熱伝導率は主に次の要素に依存します。1) 焼結促進剤の量、化学比率、化学的特性、および対応する結晶境界の厚さ。 2) 粒度。 ３）ＳｉＣ結晶中の不純物原子の種類と濃度。 ４）焼結雰囲気。 5) 焼結後の熱処理など SiC は、高い熱伝導率、大きなバンドギャップ、高い電子飽和移動速度、優れた臨界破壊電界特性を有しており、その優れたオールラウンド性能により、従来の半導体材料やデバイスの欠点を補って実用化されており、電気自動車、移動体通信チップ等の分野で幅広い用途に使用されています。信頼性が高く、動作温度が高く、サイズが小さく、耐電圧が高いSiCは、メインドライブパネル、自動車の充電モーター、パワーモジュールなどのパワーデバイスに適用でき、電気自動車の効率を大幅に向上させ、耐久性を延長できます。同時に、SiC は優れた熱伝導性を備えているため、SiC 半導体パワーデバイスを使用すると、バッテリーのサイズを縮小し、エネルギーをより効率的に変換できるため、デバイス全体のコストを削減できます。 SiC セラミックは、高性能構造セラミック材料として優れた熱特性を備えており、高温、熱、伝熱産業で広く使用できます。