SiC 材料の熱伝導率は、ほとんどの誘電体固体と同様に、主に熱弾性波 (フォノンと呼ばれる) の伝達によって影響されます。 SiC 材料の熱伝導率は主に次の要素に依存します。1) 焼結助剤の量、化学量論比、化学的特性、および関連する粒界の厚さと結晶化度。 2) 粒度。 ３）ＳｉＣ結晶中の不純物原子の種類と濃度。 ４）焼結雰囲気。 5) 焼結後の熱処理など SiC は、高い熱伝導率、大きなバンドギャップ幅、高い電子飽和移動速度、高い臨界破壊電界などの優れた特性を持っています。 その優れた総合性能は、実用化において従来の半導体材料やデバイスの欠点を補っており、電気自動車や移動体通信チップなどの分野で幅広い応用が期待されています。 SiC は、信頼性が高く、動作温度が高く、サイズが小さく、耐電圧が高いため、メインドライブボード、車載充電器、パワーモジュールなどのパワーデバイスに適用でき、効率が大幅に向上し、電気自動車の耐久性が向上します。 。 同時に、SiC は優れた熱伝導性を備えており、SiC 半導体パワーデバイスを使用すると、バッテリーのサイズを縮小し、エネルギーをより効果的に変換できるため、組み立てデバイスのコストを削減できます。 SiCセラミックスは、高性能構造用セラミックス材料として優れた熱的特性を有しており、耐高温、加熱、熱交換の産業分野で広く使用されています。
